SK Hynix a început producția de memorie LPDDR5T-9600 pentru telefoane flagship. Conform producătorului, litera T din nume vine de la Turbo întrucât noile module de memorie au o frecvență de 9.600 MT/s. În momentul acesta, noua memorie a fost verificată și funcționează pe două platforme de la Qualcomm și MediaTek, urmând să fie adoptată de mai mulți producători în perioada următoare.
Smartphone-urile devin dispozitive esențiale pentru implementarea tehnologiei AI, pe măsură ce era inteligenței artificiale ajunge la un apogeu. Cererea de module DRAM rapide de capacitate mare este în creștere. Vom continua să fim liderii unei piețe premium pentru DRAM grație expertizei noastre în domeniul memoriei AI, în același timp în care continuăm să îndeplinim cererile pieței.
Myoungsoo Park, Vice-Președinte și Șef al diviziei DRAM Marketing, SK-Hynix
Memoria LPDDR5T-9600 este disponibilă în module de câte 16GB cu tensiunea VDD cuprinsă între 1.01V și 1.12V, iar tensiunea VDDQ de 0.5V. Ca idee, tensiunea memoriei LPDDR5 este cuprinsă între 1.00V și 1.1V, deci nu vorbim despre diferențe mari. Asta înseamnă că noul standard de memorie va funcționa pe majoritatea platformelor, fără să aibă un impact asupra bateriei. Lățimea de bandă pe care o atinge memoria LPDDR5T-9600 este de 76.8 GB/s, cu 12.5% mai mare decât în cazul memoriei fără T în coadă.
Noile module de memorie de la SK Hynix au fost certificate de către Qualcomm pentru platforma Snapdragon 8 Gen 3, cât și de către cei de la MediaTek pentru chip-ul Dimensity 9300 și derivatele acestuia. Se pare că în curând se vor alătura și cei de la Vivo, care vor folosi noile module LPDDR5T-9600 pe platformele X100 și X100 Pro. Dar ce înseamnă asta pentru utilizatori? Înseamnă că următoarele telefoane vor fi mult mai capabile în aplicații AI, dar frecvența mai mare a memoriei DRAM înseamnă și că performanța chip-ului grafic va crește, astfel jocurile vor rula mai bine.
